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产品先容
产品特点

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NF-300M Supra-H 是新一代叠层介质 PECVD 沉积装备，独创可搭载4个6站反应腔的设计，使其具有优异的坪效比及 CoO，专用于三维闪存（3D NAND）先进制程，是适配高堆叠层数存储芯片量产的焦点薄膜沉积装备，普遍应用于新一代大容量、高密度 3D NAND 闪存芯片制造产线。
该装备支持 SiO?、SiN 交替多层堆叠（ONON）结构沉积以及 Thick TEOS 介质薄膜沉积，实现多种薄膜的快速切换及长时间沉积需求的薄膜工艺；支持 700℃高温工艺，可有用提升介质薄膜的致密度、结构稳固性与绝缘可靠性，消除薄膜孔隙与缺陷，知足 3D NAND 闪存层数提升、膜层结构重大需求的趋势。装备在薄膜匀称性、颗粒度控制、外貌粗糙度、薄膜应力控制等方面体现优异，同时具备多片wafer 沉积和wafer 旋转功效，在量产产能、工艺稳固性等多项要害指标上实现手艺突破，抵达国际同类装备先进水平。

产品特点
      - 支持700℃高温工艺，可实现超百层 SiO2、SiN（ONON）的堆叠
      - 高产能设计和多种薄膜沉积的快速切换
      - 可搭载4个6站反应腔
      - 具备多片 wafer 沉积和 wafer 旋转功效

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